产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

MOSFET 应用方案

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SGT MOSFET

MOSFET
应用方案

HYG060N08NS1P

HYG060N08NS1P

此器件为80V、5.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合较高频率应用，可满足同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换等应用领域

HYG060N08NS1P产品说明书

特性

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试

优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性

应用

电动车控制器

锂电池保护板

逆变器

HYG060N08NS1P

模型